full screen background image

TSMC сделала прорыв в разработке 2-нм архитектуры для чипов 2024 года

TSMC сделала еще один крупный прорыв в своих исследованиях и разработках. На этот раз крупнейший в мире производитель микросхем добился успехов в разработке 2-нм архитектуры, которая в ближайшем будущем появится в процессорах.

Согласно отчету, в грядущем 2-нм процессе будет использоваться новая архитектура полевых транзисторов с несколькими мостовыми каналами (MBCFET), в отличие от архитектуры транзисторов ребристого типа (FinFET), используемой в 3-нм и 5-нм процессах. Эта разработка также знаменует собой очередной прогресс, которым TSMC значительно опережает своих конкурентов, таких как Samsung.

Представитель TSMC также заявил: «Мы оптимистично настроены в отношении того, что доходность пробной продукции с учетом рисков во второй половине 2023 года достигнет 90%, что поможет нам и дальше получать крупные заказы от крупных производителей, таких как Apple и Huida в будущее». Кроме того, компания планирует выйти на массовое производство примерно в 2024 году.

Еще в 2019 году TSMC выделила команду исследований и разработок, чтобы найти реальный путь развития 2-нм процесса. Эта команда должна была учитывать затраты, совместимость оборудования, технологическую зрелость и производительность, а также другие условия. Примечательно, что в 2-нм архитектуре используется MBCFET на основе процесса объемного затвора (GAA), который устраняет физические ограничения утечки тока управления, вызванной процессом FinFET.

Хотя производитель микросхем уже работает над 2-нм процессорами на 2024 год, он также начал исследования процессов, лежащих за его пределами. Это включает в себя возможность внедрения 1-нм техпроцесса и других технологий в ближайшем будущем. TSMC также готовится расширить свою производственную площадку в центральном Тайване для внедрения 2-нанометрового процесса . Это также свидетельствует о растущем разрыве между тайваньской фирмой и ее конкурентом Samsung.

Источник




Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *